100E系列支持500V額定電壓,通過100%高壓老化測試,可在250%耐壓下持續(xù)工作5秒不擊穿。醫(yī)療設(shè)備如MRI系統(tǒng)的梯度放大器需承受瞬間高壓脈沖,ATC電容的絕緣電阻>10^12Ω,杜絕漏電風(fēng)險(xiǎn),符合AEC-Q200車規(guī)認(rèn)證。在5GMassiveMIMO天線陣列中,ATC600S系列(0603封裝)憑借0.1pF至100pF容值范圍,實(shí)現(xiàn)帶外噪聲抑制>60dB。其低插損(<0.1dB@2.6GHz)特性可減少基站功耗,配合環(huán)形器設(shè)計(jì),將鄰頻干擾降低至-80dBm以下,滿足3GPPTS38.104標(biāo)準(zhǔn)。直流偏壓特性穩(wěn)定,容值變化率小于5%,保證電源穩(wěn)定性。600F150FT250XT

ATC芯片電容采用高純度陶瓷介質(zhì)與精密電極設(shè)計(jì),在1MHz至10GHz頻段內(nèi)保持穩(wěn)定的容值,Q值高達(dá)10000以上。例如,100B系列在5GHz時(shí)ESR低至0.01Ω,有效減少信號(hào)衰減,適用于5G基站中的功率放大器匹配電路。其自諧振頻率(SRF)可達(dá)數(shù)十GHz,遠(yuǎn)超普通MLCC電容,確保高頻信號(hào)完整性,基于NPO/C0G介質(zhì)材料,ATC電容在-55℃至+175℃范圍內(nèi)容值漂移小于±0.3%,溫度系數(shù)(TCC)±30ppm/℃。在航天設(shè)備中,如衛(wèi)星通信載荷的振蕩器電路,即便遭遇極端溫差,仍能維持相位噪聲低于-150dBc/Hz,保障信號(hào)傳輸穩(wěn)定性。CDR13BP332AGSM采用先進(jìn)薄膜沉積技術(shù),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)介質(zhì)層厚度控制。

在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn),完全滿足汽車電子對元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。
ATC芯片電容的多層陶瓷結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使其具備高電容密度,在小型封裝中實(shí)現(xiàn)了較大的容值范圍(如0.1pF至100μF)。這種高密度設(shè)計(jì)滿足了現(xiàn)代電子產(chǎn)品對元件小型化和高性能的雙重需求,特別是在空間受限的應(yīng)用中。其優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性使得ATC芯片電容在高頻電路中能夠保持穩(wěn)定容值,避免了因頻率變化導(dǎo)致的性能衰減。這一特性在射頻匹配網(wǎng)絡(luò)和天線調(diào)諧電路中尤為重要,確保了信號(hào)傳輸?shù)男屎蜏?zhǔn)確性。ATC芯片電容的封裝形式多樣,包括貼片式、插入式、軸向和徑向等,滿足了不同電路設(shè)計(jì)和安裝需求。例如,其微帶封裝和軸向引線封裝適用于高頻模塊和定制化電路設(shè)計(jì),提供了靈活的選擇。ATC芯片電容采用獨(dú)特的氮化硅薄膜技術(shù),明顯提升介質(zhì)擊穿強(qiáng)度,確保在超高電場下的工作穩(wěn)定性。

在高頻特性方面,ATC的芯片電容表現(xiàn)出色,具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)。這一特性使得它在高頻范圍內(nèi)損耗極低,能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號(hào),提供穩(wěn)定可靠的高頻性能。例如,可以射頻功率放大器和微波電路中,這種低ESR/ESL設(shè)計(jì)明顯降低了熱耗散,提高了電路的整體效率和信號(hào)完整性。同時(shí),其高自諧振頻率(可達(dá)GHz級(jí)別)確保了在高頻應(yīng)用中的可靠性,避免了因自諧振導(dǎo)致的性能下降。提供定制化服務(wù),可根據(jù)特殊需求開發(fā)型號(hào)。800C820GT2500X
符合AEC-Q200汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn),耐振動(dòng)、抗沖擊,適合車載電子。600F150FT250XT
ATC芯片電容的可靠性經(jīng)過嚴(yán)格測試和驗(yàn)證,包括壽命測試、熱沖擊、防潮性等多項(xiàng)環(huán)境試驗(yàn)。例如,其可承受MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗(yàn)和方法106的防潮試驗(yàn),確保了在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。在電源管理應(yīng)用中,ATC芯片電容的低ESR特性顯著提高了電源濾波和去耦效果。其能夠有效抑制電源噪聲和紋波,提供穩(wěn)定潔凈的電源輸出,適用于高性能處理器、AI加速器和數(shù)據(jù)中心電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)。例如,在AI服務(wù)器的PDN設(shè)計(jì)中,這種電容確保了高功耗芯片的電源完整性,避免了因電壓波動(dòng)導(dǎo)致的性能下降。600F150FT250XT
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