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ATC芯片電容符合RoHS（有害物質(zhì)限制指令）和REACH（化學品注冊、評估、許可和限制）等環(huán)保法規(guī)，其生產(chǎn)流程綠色化，產(chǎn)品不含鉛、汞、鎘等有害物質(zhì)。這不僅滿足了全球市場的準入要求，也體現(xiàn)了ATC公司對社會可持續(xù)發(fā)展和環(huán)境保護的責任擔當，使得客戶的產(chǎn)品能夠無憂進入任何國際市場。在微波電路中作為直流阻隔和射頻耦合元件，ATC電容展現(xiàn)了其“隔直通交”的理想特性。其在高頻下極低的容抗使得射頻信號能夠幾乎無損耗地通過，而其近乎無窮大的直流阻抗又能完美地隔離兩級電路間的直流偏置，防止相互干擾。這種功能在微波單片集成電路（MMIC）的偏置網(wǎng)絡中不可或缺，保證了放大器和混頻器等有源器件的正常工作。自諧振頻率可達數(shù)十GHz，適合5G/6G高頻電路設計。116XDB180G100TT

ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性堪稱行業(yè)很好，其對于溫度、時間、電壓三大變量的敏感性被控制在極低水平。其C0G(NP0)介質(zhì)的電容溫度系數(shù)（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全溫范圍內(nèi)，容值變化率通常小于±0.5%。同時，其容值隨時間的老化率遵循對數(shù)定律，每十年變化小于1%，表現(xiàn)出驚人的長期穩(wěn)定性。此外，其介質(zhì)材料的直流偏壓特性優(yōu)異，在高偏壓下的容值下降幅度遠小于常規(guī)X7R/X5R類電容，這對于工作在高壓條件下的去耦和濾波電路至關重要。100C2R0CW2500X電介質(zhì)吸收特性優(yōu)異（DA<0.1%），適合精密采樣保持電路。

在汽車電子領域，ＡＴＣ芯片符合ＡＥＣ－Ｑ２００Ｒｅｖ－Ｄ標準，能夠承受汽車環(huán)境的嚴苛要求，如高溫、高濕和振動。其應用于發(fā)動機ＥＣＵ電源濾波、車載信息娛樂系統(tǒng)和ＡＤＡＳ等領域，提供了高可靠性和長壽命。ＡＴＣ芯片電容的抗老化特性優(yōu)異，其容值隨時間變化極小（如每十小時老化率低于３％），確保了長期使用中的性能穩(wěn)定性。這一特性在需要長壽命和高可靠性的工業(yè)控制和基礎設施應用中尤為重要。其低電介質(zhì)吸收特性（典型值２％）使得ＡＴＣ芯片電容在采樣保持電路和精密測量設備中表現(xiàn)很好，避免了因電介質(zhì)吸收導致的測量誤差或信號失真。

完全無壓電效應（Microphonics）是ATC電容區(qū)別于許多II類陶瓷電容（如X7R）的明顯優(yōu)點。其采用的C0G等I類介質(zhì)是順電性的，不會在交流電壓作用下發(fā)生形變，從而徹底避免了因振動或電壓變化而產(chǎn)生的可聽噪聲（嘯叫）和微觀機械噪聲。在高保真音頻設備、敏感傳感器前置放大器和振動環(huán)境中工作的電子設備里，ATC電容確保了信號的純凈度，消除了由電容自身引入的干擾。在光通信模塊（如400G/800G光收發(fā)器）中，ATC芯片電容是保障高速信號完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能夠在數(shù)十Gbps的高速SerDes和DSP電源引腳處，提供極其高效的寬帶去耦，抑制電源噪聲對高速信號的干擾。同時，其在微波頻段穩(wěn)定的介電特性，確保了射頻驅動電路的性能，對于維持高信噪比（SNR）和低誤碼率（BER）至關重要，是高速數(shù)據(jù)可靠傳輸?shù)幕?。寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定容值特性，適合寬帶射頻系統(tǒng)應用。

ＡＴＣ芯片電容在高頻應用中的低損耗特性使其成為射頻和微波電路的理想選擇。其損耗因數(shù)（ＤＦ）低于２．５％，在高頻范圍內(nèi)仍能保持低能耗和高效率，明顯降低了電路的發(fā)熱和能量損失。這一特性在５Ｇ基站、雷達系統(tǒng)和高速通信設備中尤為重要，確保了信號傳輸?shù)募儍粜院驼w系統(tǒng)的能效。通過半導體級工藝制造，ＡＴＣ芯片電容實現(xiàn)了極高的精度和一致性。其容值公差可控制在±１０％甚至更窄的范圍，滿足了精密電路對元件參數(shù)的高要求。這種精度在匹配網(wǎng)絡、濾波器和振蕩器等應用中至關重要，確保了電路的預期性能和可靠性。通過MIL-STD-883加速度測試，在20000g沖擊條件下仍保持電氣性能的完整穩(wěn)定。600F121JT250XT

符合RoHS和REACH環(huán)保標準，滿足綠色制造要求。116XDB180G100TT

在高頻特性方面，AＴＣ的芯片電容表現(xiàn)出色，具有極低的等效串聯(lián)電阻（ＥＳＲ）和等效串聯(lián)電感（ＥＳＬ）。這一特性使得它在高頻范圍內(nèi)損耗極低，能夠有效濾除高頻噪聲和干擾信號，提供穩(wěn)定可靠的高頻性能。例如，可以射頻功率放大器和微波電路中，這種低ＥＳＲ／ＥＳＬ設計明顯降低了熱耗散，提高了電路的整體效率和信號完整性。同時，其高自諧振頻率（可達ＧＨｚ級別）確保了在高頻應用中的可靠性，避免了因自諧振導致的性能下降。116XDB180G100TT

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