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  • CDR14BP161DJSM
    CDR14BP161DJSM

    ATC芯片電容具備很好的高頻響應(yīng)特性,其等效串聯(lián)電感(ESL)極低,自諧振頻率可延伸至數(shù)十GHz,特別適用于5G通信、毫米波雷達(dá)及衛(wèi)星通信系統(tǒng)。該特性有效抑制了高頻信號(hào)傳輸中的相位失真和信號(hào)衰減,確保系統(tǒng)在復(fù)雜電磁環(huán)境下仍能維持優(yōu)異的信號(hào)完整性,為高級(jí)射頻前端模塊的設(shè)計(jì)提供了關(guān)鍵支持。在溫度穩(wěn)定性方面,采用C0G/NP0介質(zhì)的ATC電容溫度系數(shù)低至±30ppm/℃。即便在-55℃至+200℃的極端溫度范圍內(nèi),其容值漂移仍遠(yuǎn)低于常規(guī)MLCC,這一特性使其非常適用于航空航天設(shè)備中的溫補(bǔ)電路、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元及高溫工業(yè)傳感器等場(chǎng)景。符合AEC-Q200汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn),耐振動(dòng)、抗沖擊,適合車載電子。CD...

    2025-12-04
  • 100C361JW1500X
    100C361JW1500X

    地球同步軌道衛(wèi)星的T/R組件需在真空與輻射環(huán)境下工作,ATC700A電容通過MIL-PRF-55681認(rèn)證,抗γ射線劑量達(dá)100kRad。實(shí)測(cè)表明,在軌運(yùn)行10年后容值變化<1%,優(yōu)于傳統(tǒng)鉭電容的5%衰減率。盡管ATC電容單價(jià)(如100B2R0BT500XT約¥50/顆)高于普通MLCC,但其壽命周期可達(dá)20年,故障率<0.1ppm。以5G基站為例,采用ATC電容的濾波器模塊維修頻率降低70%,全生命周期成本節(jié)省約12萬美元/站點(diǎn)。ATC美國工廠采用垂直整合模式,從陶瓷粉體到封裝全流程自主可控,交貨周期穩(wěn)定在8周內(nèi)。相比日系競(jìng)品因地震導(dǎo)致的產(chǎn)能中斷風(fēng)險(xiǎn),ATC近5年準(zhǔn)時(shí)交付率保持98%以上,被...

    2025-12-04
  • 116YEC131J100TT
    116YEC131J100TT

    在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設(shè)備中,其高精度和低損耗特性適用于電能質(zhì)量分析儀的采樣電路和繼電保護(hù)裝置的信號(hào)調(diào)理回路,提高電網(wǎng)監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī),全系列采用無鉛無鹵素材料,滿足全球主要市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的環(huán)保要求,支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動(dòng)環(huán)境下,ATC電容采用抗振動(dòng)電極設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的封裝結(jié)構(gòu),其焊點(diǎn)抗疲勞性能優(yōu)異,適用于無人機(jī)飛控系統(tǒng)、機(jī)器人關(guān)節(jié)控制及發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復(fù)性,支持高頻電路的仿真設(shè)計(jì)與實(shí)際性能的高度吻合,縮短研發(fā)周期,提高設(shè)計(jì)一次成功率。通過抗硫化測(cè)試,適合工業(yè)控制等惡劣環(huán)境應(yīng)用。116YEC1...

    2025-12-04
  • 800B1R1DT500X
    800B1R1DT500X

    在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中,ATC芯片電容的高精度和穩(wěn)定性確保了匹配的準(zhǔn)確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境友好設(shè)計(jì),使得ATC芯片電容適用于全球市場(chǎng)的電子產(chǎn)品,滿足了環(huán)保法規(guī)和可持續(xù)發(fā)展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,其高穩(wěn)定性和低損耗特性確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院托?。在醫(yī)療設(shè)備中,ATC芯片電容的高可靠性和生物兼容性使其適用于植入式設(shè)備和體外診斷設(shè)備,確保了患者安全和設(shè)備長期穩(wěn)定性。損耗角正切值低至0.1%,特別適合高Q值諧振電路和濾波應(yīng)用。800B1R1DT500X在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異...

    2025-12-04
  • 116YBB3R9B100TT
    116YBB3R9B100TT

    其介質(zhì)材料具有極低的損耗角正切值(DF<0.1%),明顯降低了高頻應(yīng)用中的能量耗散。這不僅有助于提升射頻功率放大器效率,還能減少系統(tǒng)發(fā)熱,延長電子設(shè)備的使用壽命,尤其適合高功率密度基站和長期連續(xù)運(yùn)行的通信基礎(chǔ)設(shè)施。ATC電容采用獨(dú)特的陶瓷-金屬復(fù)合電極結(jié)構(gòu)和多層共燒工藝,使其具備優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度和抗彎曲性能。在振動(dòng)強(qiáng)烈或機(jī)械應(yīng)力頻繁的環(huán)境中(如軌道交通控制系統(tǒng)、重型機(jī)械電子設(shè)備),仍能保持結(jié)構(gòu)完整性和電氣連接的可靠性。通過MIL-PRF-55681等標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,滿足高可靠性應(yīng)用需求。116YBB3R9B100TT產(chǎn)品系列中包括具有三明治結(jié)構(gòu)及定制化電極設(shè)計(jì)的型號(hào),可實(shí)現(xiàn)極低的ESL和ESR,用于高...

    2025-12-04
  • 116XEC910M100TT
    116XEC910M100TT

    ATC芯片電容的可靠性經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試和驗(yàn)證,包括壽命測(cè)試、熱沖擊、防潮性等多項(xiàng)環(huán)境試驗(yàn)。例如,其可承受MIL-STD-202方法107的熱沖擊試驗(yàn)和方法106的防潮試驗(yàn),確保了在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。這種高可靠性使得它在、航空航天和醫(yī)療設(shè)備等關(guān)鍵領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。在電源管理應(yīng)用中,ATC芯片電容的低ESR特性顯著提高了電源濾波和去耦效果。其能夠有效抑制電源噪聲和紋波,提供穩(wěn)定潔凈的電源輸出,適用于高性能處理器、AI加速器和數(shù)據(jù)中心電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)。例如,在AI服務(wù)器的PDN設(shè)計(jì)中,這種電容確保了高功耗芯片的電源完整性,避免了因電壓波動(dòng)導(dǎo)致的性能下降。自諧振頻率可達(dá)數(shù)十GHz,適合5G/...

    2025-12-04
  • 116ZDB820G100TT
    116ZDB820G100TT

    部分高溫系列產(chǎn)品采用特殊陶瓷配方,可在200°C以上環(huán)境中長期工作,適用于地?zé)峥碧皆O(shè)備、航空發(fā)動(dòng)機(jī)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及工業(yè)過程控制中的高溫電子裝置。其良好的熱傳導(dǎo)性能有助于芯片工作時(shí)產(chǎn)生的熱量快速散逸至PCB,避免局部過熱導(dǎo)致性能退化,提高高功率密度電路的整體可靠性。綜上所述,ATC芯片電容憑借其在頻率特性、溫度穩(wěn)定性、可靠性、功率處理及環(huán)境適應(yīng)性等方面的綜合優(yōu)勢(shì),已成為高級(jí)電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不可或缺的重點(diǎn)元件。隨著5G通信、自動(dòng)駕駛、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的快速發(fā)展,其技術(shù)內(nèi)涵和應(yīng)用邊界仍在不斷拓展,持續(xù)為電子創(chuàng)新提供關(guān)鍵基礎(chǔ)支持。ATC芯片電容采用獨(dú)特的氮化硅薄膜技術(shù),明顯提升介質(zhì)擊穿強(qiáng)度,確保在超高電場(chǎng)...

    2025-12-04
  • 116XDA160G100TT
    116XDA160G100TT

    這使得它們能夠被直接安裝在汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制單元(ECU)、渦輪增壓器附近、剎車系統(tǒng)或航空航天設(shè)備的熱敏感區(qū)域,無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng),簡化了設(shè)計(jì)并提高了系統(tǒng)的整體可靠性。其高溫下的低損耗特性,對(duì)于保證高溫環(huán)境下的電路效率尤為重要。極低的損耗角正切值(DissipationFactor,DF)是ATC芯片電容在高頻功率應(yīng)用中無可替代的原因。其DF值通常在0.1%至2.5%的極低范圍內(nèi),意味著電容自身的能量損耗(轉(zhuǎn)化為熱能)極小。在高功率射頻放大器的輸出匹配和諧振電路中,低DF值直接轉(zhuǎn)化為更高的系統(tǒng)效率(降低功放發(fā)熱)和更大的輸出功率能力。同時(shí),低損耗也意味著自身發(fā)熱少,避免了熱失控風(fēng)險(xiǎn),提升了整個(gè)電路...

    2025-12-04
  • 116YGA471J100TT
    116YGA471J100TT

    在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時(shí)間變化率極低,十年老化率可控制在1%以內(nèi)。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療成像設(shè)備等要求高可靠性和長期穩(wěn)定性的領(lǐng)域。其極低的噪聲特性源于介質(zhì)材料的均勻結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的電極界面設(shè)計(jì),在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號(hào)調(diào)理電路中表現(xiàn)出色,有助于提高系統(tǒng)的信噪比和測(cè)量精度。具備優(yōu)異的抗硫化性能,采用特殊端電極材料和保護(hù)涂層,可有效抵御含硫環(huán)境對(duì)電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設(shè)備、油氣勘探儀器及某些特殊工業(yè)環(huán)境中的電子系統(tǒng)。采用共燒陶瓷金屬化工藝,使電極與介質(zhì)形成微觀一體化結(jié)構(gòu),徹底消除分層風(fēng)險(xiǎn)。116YGA47...

    2025-12-04
  • 600F240JT250T
    600F240JT250T

    在測(cè)試與測(cè)量設(shè)備中,ATC電容用于示波器探頭補(bǔ)償、頻譜分析儀輸入電路及信號(hào)發(fā)生器的濾波網(wǎng)絡(luò),其高精度和低溫漂特性有助于保持儀器的長期測(cè)量準(zhǔn)確性。通過激光調(diào)阻和精密修刻工藝,可提供容值精確匹配的電容陣列或配對(duì)電容,用于差分信號(hào)處理、平衡混頻器和推挽功率放大器中的對(duì)稱電路設(shè)計(jì)。在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中,其低功耗特性與微型化尺寸相得益彰,為藍(lán)牙模塊、LoRa節(jié)點(diǎn)及能量采集系統(tǒng)的電源管理和信號(hào)處理提供高效可靠的電容解決方案。適用于物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備,實(shí)現(xiàn)小型化與低功耗的完美結(jié)合。600F240JT250T在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫...

    2025-12-04
  • 100C431JW1500X
    100C431JW1500X

    優(yōu)化的電極邊緣設(shè)計(jì)是ATC減少寄生參數(shù)、提升高頻性能的又一細(xì)節(jié)。通過特殊的電極幾何形狀設(shè)計(jì)和邊緣場(chǎng)控制技術(shù),ATC有效降低了電極末端的場(chǎng)強(qiáng)集中和邊緣效應(yīng),從而進(jìn)一步減少了ESL和ESR,并提高了電容的耐壓能力。這種對(duì)細(xì)節(jié)的追求,構(gòu)成了ATC高性能的堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。很好的焊接工藝兼容性使得ATC芯片電容能夠完美融入現(xiàn)代SMT生產(chǎn)線。其端電極采用多層結(jié)構(gòu)(如鎳屏障層和錫焊接層),可承受無鉛回流焊的高溫(峰值溫度260°C),具有良好的可焊性和耐焊性,避免了立碑、虛焊等缺陷。同時(shí),其抗熱震性能優(yōu)異,能承受焊接過程中的快速溫度變化,確保高良品率。在高功率雷達(dá)系統(tǒng)的脈沖形成網(wǎng)絡(luò)中,ATC電容承擔(dān)著儲(chǔ)能和快速放...

    2025-12-04
  • 700B390JW500XT
    700B390JW500XT

    在抗老化性能方面,ATC電容的容值隨時(shí)間變化率極低,十年老化率可控制在1%以內(nèi)。這一長壽命特性使其非常適用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、醫(yī)療成像設(shè)備等要求高可靠性和長期穩(wěn)定性的領(lǐng)域。其極低的噪聲特性源于介質(zhì)材料的均勻結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的電極界面設(shè)計(jì),在低噪聲放大器、高精度ADC/DAC參考電路及傳感器信號(hào)調(diào)理電路中表現(xiàn)出色,有助于提高系統(tǒng)的信噪比和測(cè)量精度。具備優(yōu)異的抗硫化性能,采用特殊端電極材料和保護(hù)涂層,可有效抵御含硫環(huán)境對(duì)電容的侵蝕。這一特性使ATC電容特別適用于化工控制設(shè)備、油氣勘探儀器及某些特殊工業(yè)環(huán)境中的電子系統(tǒng)??倱碛谐杀緝?yōu)勢(shì)明顯,長壽命降低系統(tǒng)維護(hù)費(fèi)用。700B390JW500XT該類電容具有較好的...

    2025-12-03
  • 116ZEA121G100TT
    116ZEA121G100TT

    ATC電容憑借其極低的ESL和ESR,能在極寬的頻帶內(nèi)(從KHz到GHz)提供低阻抗路徑,有效濾除電源軌上的高頻噪聲,抑制同步開關(guān)噪聲(SSN),確保為芯片重點(diǎn)提供純凈、穩(wěn)定的電壓。這對(duì)于防止系統(tǒng)時(shí)序錯(cuò)誤、數(shù)據(jù)損壞和性能下降至關(guān)重要。ATC芯片電容實(shí)現(xiàn)了高電容密度與高性能的完美平衡。通過采用高介電常數(shù)介質(zhì)材料和增加疊層數(shù)量,其在單位體積內(nèi)存儲(chǔ)的電荷量(電容值)很好提升。然而,與普通高介電常數(shù)材料往往溫度穩(wěn)定性不同,ATC通過復(fù)雜的材料改性技術(shù),在獲得高電容密度的同時(shí),依然保持了良好的溫度特性和頻率特性。這使得設(shè)計(jì)者無需在“大小”和“性能”之間艱難取舍,為空間受限的高性能應(yīng)用提供了理想解決方案。...

    2025-12-03
  • 100B120FT500XT
    100B120FT500XT

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn),完全滿足汽車電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。為AI芯片提供高效去耦,保障計(jì)算重點(diǎn)穩(wěn)定運(yùn)行。100B120FT50...

    2025-12-03
  • 116XHC270G100TT
    116XHC270G100TT

    針對(duì)高頻應(yīng)用中的寄生效應(yīng),ATC芯片電容進(jìn)行了性的電極結(jié)構(gòu)優(yōu)化。其采用的三維多層電極設(shè)計(jì),通過精細(xì)控制金屬層(通常為賤金屬鎳或銅,或貴金屬銀鈀)的厚度、平整度及疊層結(jié)構(gòu),比較大限度地減少了電流路徑的曲折度。這種設(shè)計(jì)將等效串聯(lián)電感(ESL)和等效串聯(lián)電阻(ESR)降至很好,從而獲得了極高的自諧振頻率(SRF)。在GHz頻段的射頻電路中,這種低ESL/ESR特性意味著信號(hào)路徑上的阻抗幾乎為純?nèi)菪?,極大地降低了插入損耗和能量反射,保證了信號(hào)傳輸?shù)耐暾耘c效率。自諧振頻率可達(dá)數(shù)十GHz,適合5G/6G高頻電路設(shè)計(jì)。116XHC270G100TTATC芯片電容的無壓電效應(yīng)特性消除了傳統(tǒng)MLCC因電壓變化...

    2025-12-03
  • 251R15S360JV4Z
    251R15S360JV4Z

    每一顆電容都?xì)v經(jīng)了嚴(yán)格的內(nèi)部檢驗(yàn),包括100%的電氣性能測(cè)試。此外,產(chǎn)品還需通過如MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標(biāo)準(zhǔn)的一系列環(huán)境應(yīng)力篩選(ESS)試驗(yàn),如溫度循環(huán)(-55°C至+125°C,多次循環(huán))、機(jī)械沖擊(1500G)、振動(dòng)、耐濕、可焊性等。這種“級(jí)”的品質(zhì),使其在關(guān)乎生命安全的醫(yī)療植入設(shè)備、關(guān)乎任務(wù)成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中,成為工程師們的優(yōu)先。在高速數(shù)字系統(tǒng)的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中,ATC芯片電容的低阻抗特性發(fā)揮著“定海神針”的作用。隨著CPU、GPU、ASIC芯片時(shí)鐘頻率的攀升和電壓的下降,電源噪聲容限急劇縮小。寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定容值特性,適合寬帶射頻...

    2025-12-03
  • 100B220FT500XT
    100B220FT500XT

    每一顆電容都?xì)v經(jīng)了嚴(yán)格的內(nèi)部檢驗(yàn),包括100%的電氣性能測(cè)試。此外,產(chǎn)品還需通過如MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等標(biāo)準(zhǔn)的一系列環(huán)境應(yīng)力篩選(ESS)試驗(yàn),如溫度循環(huán)(-55°C至+125°C,多次循環(huán))、機(jī)械沖擊(1500G)、振動(dòng)、耐濕、可焊性等。這種“級(jí)”的品質(zhì),使其在關(guān)乎生命安全的醫(yī)療植入設(shè)備、關(guān)乎任務(wù)成敗的航天衛(wèi)星以及惡劣的工業(yè)環(huán)境中,成為工程師們的優(yōu)先。在高速數(shù)字系統(tǒng)的電源分配網(wǎng)絡(luò)(PDN)中,ATC芯片電容的低阻抗特性發(fā)揮著“定海神針”的作用。隨著CPU、GPU、ASIC芯片時(shí)鐘頻率的攀升和電壓的下降,電源噪聲容限急劇縮小。ATC芯片電容采用高純度鈦酸鹽陶瓷介質(zhì)...

    2025-12-03
  • CDR12AG0R2KBNM
    CDR12AG0R2KBNM

    在智能電網(wǎng)和電力監(jiān)控設(shè)備中,其高精度和低損耗特性適用于電能質(zhì)量分析儀的采樣電路和繼電保護(hù)裝置的信號(hào)調(diào)理回路,提高電網(wǎng)監(jiān)測(cè)的準(zhǔn)確性和可靠性。產(chǎn)品符合RoHS、REACH等環(huán)保法規(guī),全系列采用無鉛無鹵素材料,滿足全球主要市場(chǎng)對(duì)電子產(chǎn)品的環(huán)保要求,支持綠色電子制造和可持續(xù)發(fā)展。在高頻振動(dòng)環(huán)境下,ATC電容采用抗振動(dòng)電極設(shè)計(jì)和堅(jiān)固的封裝結(jié)構(gòu),其焊點(diǎn)抗疲勞性能優(yōu)異,適用于無人機(jī)飛控系統(tǒng)、機(jī)器人關(guān)節(jié)控制及發(fā)動(dòng)機(jī)管理系統(tǒng)。其微波系列產(chǎn)品具有精確的模型參數(shù)和穩(wěn)定的性能重復(fù)性,支持高頻電路的仿真設(shè)計(jì)與實(shí)際性能的高度吻合,縮短研發(fā)周期,提高設(shè)計(jì)一次成功率。很低的介電吸收特性(

    2025-12-03
  • 116XF221J100TT
    116XF221J100TT

    ATC芯片電容的容值穩(wěn)定性是其另一大優(yōu)勢(shì)。相比于傳統(tǒng)MLCC(多層陶瓷電容),其容值隨溫度、偏壓和老化特性的漂移極小,通常不到MLCC的1/10。這得益于其采用的特殊材料(如C0G/NP0介質(zhì))和半導(dǎo)體級(jí)工藝,使得電容在不同溫度和頻率下容值變化微小,提供了極高的可靠性。這種穩(wěn)定性在精密電路(如醫(yī)療設(shè)備和通信基礎(chǔ)設(shè)施)中至關(guān)重要,確保了長期使用中的性能一致性。尺寸小巧是ATC芯片電容的明顯特點(diǎn)之一。其封裝形式多樣,包括0402(1.6mm×1.6mm)等超小尺寸,適用于高密度集成電路和微型電子設(shè)備。這種小型化設(shè)計(jì)不僅節(jié)省了電路板空間,還提高了系統(tǒng)的集成度和性能,特別適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品輕薄化的趨勢(shì)。...

    2025-12-03
  • 800E4R7DT7200X
    800E4R7DT7200X

    優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值。其容值對(duì)頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段,衰減也微乎其微。這一特性對(duì)于寬帶應(yīng)用如軟件定義無線電(SDR)、電子戰(zhàn)(EW)系統(tǒng)中的寬帶濾波器和匹配網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要。它保證了系統(tǒng)在整個(gè)工作頻帶內(nèi)都能獲得一致且可預(yù)測(cè)的性能,避免了因電容頻響不均而導(dǎo)致的信號(hào)失真或增益波動(dòng)。多樣化的封裝形式是ATC滿足全球客戶不同需求的關(guān)鍵。除了標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝(SMD)chip型號(hào),ATC還提供帶引線的插件式、適用于高頻電路的微帶線(Microstrip)封裝、以及具有更低寄生電感的倒裝(Flip-Chip)技術(shù)產(chǎn)品。這種靈活性允許工程師根據(jù)電路的頻率、...

    2025-12-03
  • 116YHC360J100TT
    116YHC360J100TT

    在阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)中,ATC芯片電容的高精度和穩(wěn)定性確保了匹配的準(zhǔn)確性,提高了射頻電路的傳輸效率和功率輸出。其符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的環(huán)境友好設(shè)計(jì),使得ATC芯片電容適用于全球市場(chǎng)的電子產(chǎn)品,滿足了環(huán)保法規(guī)和可持續(xù)發(fā)展需求。ATC芯片電容在微波電路中的耦合和直流阻隔應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,其高穩(wěn)定性和低損耗特性確保了信號(hào)傳輸?shù)募儍粜院托省T卺t(yī)療設(shè)備中,ATC芯片電容的高可靠性和生物兼容性使其適用于植入式設(shè)備和體外診斷設(shè)備,確保了患者安全和設(shè)備長期穩(wěn)定性。脈沖放電特性很好,適合雷達(dá)系統(tǒng)能量存儲(chǔ)應(yīng)用。116YHC360J100TT雖然單顆ATC100B系列電容價(jià)格是普通電容的8-10倍(2023年市場(chǎng)報(bào)價(jià)$18....

    2025-12-03
  • 800C911JTN1000X
    800C911JTN1000X

    出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩(wěn)定的保證。其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過初始老化后趨于極度穩(wěn)定,容值隨時(shí)間的變化遵循一個(gè)非常緩慢的對(duì)數(shù)衰減規(guī)律。這意味著,一臺(tái)使用了ATC電容的設(shè)備,在其十年甚至二十年的使用壽命內(nèi),其關(guān)鍵電路的參數(shù)漂移將被控制在極小的范圍內(nèi)。這種長期穩(wěn)定性對(duì)于電信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)控制儀表和測(cè)試測(cè)量設(shè)備等長生命周期產(chǎn)品而言,價(jià)值巨大。極低的電介質(zhì)吸收(DielectricAbsorption,DA)是ATC電容在精密模擬電路中的一項(xiàng)隱性優(yōu)勢(shì)。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”,會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓,導(dǎo)致采樣保持電路(SHA)、積分器或精密ADC/DAC的測(cè)量誤差。ATC電容的...

    2025-12-03
  • 116YEC820M100TT
    116YEC820M100TT

    高Q值(品質(zhì)因數(shù))是ATC電容在構(gòu)建高頻諧振電路、濾波器和諧振器時(shí)的重點(diǎn)參數(shù)。Q值越高,意味著電容的能量損耗越低,諧振曲線的銳度越高。ATC電容的Q值通常在數(shù)千量級(jí),這使得由其構(gòu)建的濾波器具有極低的插入損耗和極高的帶外抑制能力,振蕩器則具有更低的相位噪聲和更高的頻率穩(wěn)定性。在頻率源和選頻網(wǎng)絡(luò)中,高Q值A(chǔ)TC電容是提升系統(tǒng)整體性能的關(guān)鍵。ATC的制造工藝融合了材料科學(xué)與半導(dǎo)體技術(shù),例如采用深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)來形成高深寬比的介質(zhì)槽,采用原子層沉積(ALD)來構(gòu)建超薄且均勻的電極界面。這些前列工藝實(shí)現(xiàn)了電容內(nèi)部三維結(jié)構(gòu)的精確控制,極大地增加了有效電極面積,從而在不增大體積的前提下提升了電容值...

    2025-12-03
  • 100B751MT50XT
    100B751MT50XT

    優(yōu)異的頻率響應(yīng)特性確保了ATC芯片電容在寬頻帶內(nèi)保持穩(wěn)定的容值。其容值對(duì)頻率的變化曲線極為平坦,即便在微波頻段,衰減也微乎其微。這一特性對(duì)于寬帶應(yīng)用如軟件定義無線電(SDR)、電子戰(zhàn)(EW)系統(tǒng)中的寬帶濾波器和匹配網(wǎng)絡(luò)至關(guān)重要。它保證了系統(tǒng)在整個(gè)工作頻帶內(nèi)都能獲得一致且可預(yù)測(cè)的性能,避免了因電容頻響不均而導(dǎo)致的信號(hào)失真或增益波動(dòng)。多樣化的封裝形式是ATC滿足全球客戶不同需求的關(guān)鍵。除了標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝(SMD)chip型號(hào),ATC還提供帶引線的插件式、適用于高頻電路的微帶線(Microstrip)封裝、以及具有更低寄生電感的倒裝(Flip-Chip)技術(shù)產(chǎn)品。這種靈活性允許工程師根據(jù)電路的頻率、...

    2025-12-03
  • 800E110JTN7200X
    800E110JTN7200X

    ATC芯片電容采用高密度瓷結(jié)構(gòu)制成,這種結(jié)構(gòu)不僅提供了耐用、氣密式的封裝,還確保了元件在惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定性。其材料選擇和制造工藝經(jīng)過精心優(yōu)化,使得電容具備極高的機(jī)械強(qiáng)度和抗沖擊能力,可承受高達(dá)50G的機(jī)械沖擊,適用于振動(dòng)頻繁或環(huán)境苛刻的應(yīng)用場(chǎng)景,如航空航天和汽車電子。此外,這種結(jié)構(gòu)還賦予了電容優(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在-55℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)保持性能穩(wěn)定,避免了因溫度波動(dòng)導(dǎo)致的電容值漂移或電路故障。絕緣電阻高達(dá)10^4兆歐姆·微法,防止泄漏電流。800E110JTN7200X完全無壓電效應(yīng)(Microphonics)是ATC電容區(qū)別于許多II類陶瓷電容(如X7R)的明顯優(yōu)點(diǎn)。其采用的C...

    2025-12-03
  • 100A8R2CW150XT
    100A8R2CW150XT

    很好的高溫存儲(chǔ)和操作壽命性能使得ATC電容能夠應(yīng)對(duì)嚴(yán)酷的環(huán)境。其產(chǎn)品可在+250°C的高溫環(huán)境下持續(xù)工作數(shù)千小時(shí),而容值變化、絕緣電阻劣化均微乎其微。這種能力使其不僅適用于傳統(tǒng)汽車和航空航天,更在深井鉆探、地?zé)岚l(fā)電等超高溫工業(yè)應(yīng)用以及新一代高溫電子產(chǎn)品中,成為不可多得的關(guān)鍵元件。極低的噪聲特性源于ATC電容穩(wěn)定的介質(zhì)結(jié)構(gòu)和優(yōu)異的絕緣性能。其介質(zhì)內(nèi)部幾乎不存在會(huì)隨機(jī)產(chǎn)生電荷陷阱和釋放的缺陷,因此其產(chǎn)生的1/f噪聲和爆米花噪聲(PopcornNoise)水平極低。在低噪聲放大器(LNA)、高精度傳感器信號(hào)調(diào)理電路和微弱信號(hào)檢測(cè)設(shè)備的前端,使用ATC電容可以有效避免引入額外的噪聲,保證系統(tǒng)能夠提取出...

    2025-12-03
  • 600F5R6CT250XT
    600F5R6CT250XT

    出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩(wěn)定的保證。其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過初始老化后趨于極度穩(wěn)定,容值隨時(shí)間的變化遵循一個(gè)非常緩慢的對(duì)數(shù)衰減規(guī)律。這意味著,一臺(tái)使用了ATC電容的設(shè)備,在其十年甚至二十年的使用壽命內(nèi),其關(guān)鍵電路的參數(shù)漂移將被控制在極小的范圍內(nèi)。這種長期穩(wěn)定性對(duì)于電信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)控制儀表和測(cè)試測(cè)量設(shè)備等長生命周期產(chǎn)品而言,價(jià)值巨大。極低的電介質(zhì)吸收(DielectricAbsorption,DA)是ATC電容在精密模擬電路中的一項(xiàng)隱性優(yōu)勢(shì)。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”,會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓,導(dǎo)致采樣保持電路(SHA)、積分器或精密ADC/DAC的測(cè)量誤差。ATC電容的...

    2025-12-03
  • 600F910GT250XT
    600F910GT250XT

    在高頻功率處理能力方面,ATC電容能承受較高的射頻電流,其熱管理性能優(yōu)異,即使在連續(xù)波或脈沖功率應(yīng)用中,仍能保持低溫升和高可靠性,適用于射頻能量傳輸、等離子發(fā)生器和工業(yè)加熱系統(tǒng)。其尺寸微型化系列(如0201、0402封裝)在保持高性能的同時(shí)極大節(jié)省了PCB空間,為可穿戴設(shè)備、微型傳感器節(jié)點(diǎn)及高密度系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)提供了理想的集成解決方案。產(chǎn)品符合AEC-Q200車規(guī)標(biāo)準(zhǔn),可承受1000小時(shí)以上高溫高濕偏壓測(cè)試及1000次溫度循環(huán)試驗(yàn),完全滿足汽車電子對(duì)元器件的嚴(yán)苛可靠性要求,廣泛應(yīng)用于ADAS、車載信息娛樂和電池管理系統(tǒng)。在脈沖應(yīng)用場(chǎng)景中,ATC電容具有極快的充放電速度和低等效串聯(lián)電阻,可...

    2025-12-03
  • 116XHC160G100TT
    116XHC160G100TT

    通過MIL-STD-883HMethod2007機(jī)械沖擊測(cè)試,采用氣炮加速實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證可承受100,000g加速度沖擊(相當(dāng)于撞擊的瞬間過載)。實(shí)際應(yīng)用于裝甲車輛火控系統(tǒng)時(shí),在12.7mm機(jī)射擊產(chǎn)生的5-2000Hz寬頻振動(dòng)環(huán)境下,其電極焊接點(diǎn)仍保持零斷裂記錄。這種特性源自特殊的銀-鈀合金電極(Ag-Pd70/30配比)與三維立體堆疊結(jié)構(gòu),其斷裂韌性值(KIC)達(dá)到8MPa·m1/2,是普通陶瓷電容的3倍。洛克希德·馬丁公司的戰(zhàn)地報(bào)告顯示,配備ATC電容的"標(biāo)"反坦克導(dǎo)彈制導(dǎo)系統(tǒng),在沙漠風(fēng)暴行動(dòng)中的戰(zhàn)場(chǎng)故障率為0.2/百萬發(fā)。符合RoHS和REACH環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),滿足綠色制造要求。116XHC160G...

    2025-12-03
  • CDR13BG121DGSM
    CDR13BG121DGSM

    出色的抗老化特性是ATC電容長期性能穩(wěn)定的保證。其介質(zhì)材料的微觀結(jié)構(gòu)在經(jīng)過初始老化后趨于極度穩(wěn)定,容值隨時(shí)間的變化遵循一個(gè)非常緩慢的對(duì)數(shù)衰減規(guī)律。這意味著,一臺(tái)使用了ATC電容的設(shè)備,在其十年甚至二十年的使用壽命內(nèi),其關(guān)鍵電路的參數(shù)漂移將被控制在極小的范圍內(nèi)。這種長期穩(wěn)定性對(duì)于電信基礎(chǔ)設(shè)施、工業(yè)控制儀表和測(cè)試測(cè)量設(shè)備等長生命周期產(chǎn)品而言,價(jià)值巨大。極低的電介質(zhì)吸收(DielectricAbsorption,DA)是ATC電容在精密模擬電路中的一項(xiàng)隱性優(yōu)勢(shì)。DA效應(yīng)猶如電容的“記憶效應(yīng)”,會(huì)在快速充放電后產(chǎn)生殘余電壓,導(dǎo)致采樣保持電路(SHA)、積分器或精密ADC/DAC的測(cè)量誤差。ATC電容的...

    2025-12-03
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